| 芯片型号 |
芯片参数 |
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| HCS20N50 |
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 20 A
VDSS 500 V
Rdson（@Vgs=10V）-MAX 0.27Ω
Qg-TYP 48.7nC
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| HCS18N50 |
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 18 A
VDSS 500 V
Rdson-max（@Vgs=10V） 0.27Ω
Qg-typ 48.7nC
Eoss（@Vdss=400V） 5.84mJ
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| HCS16N65 |
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 15A
VDSS 650 V
Rdson （Vgs=10V） Max 0.55Ω
Qg-typ 35.2nC
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| HCS13N50 |
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 13A
VDSS 500 V
Rdson （Vgs=10V） Max 0.49Ω
Qg-typ 27nC
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| HCS12N65 |
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 12A
VDSS 650 V
Rdson （Vgs=10V） Max 0.78Ω
Qg-typ 39nC
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| HCS7N60 |
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 7.0 A
VDSS 600 V
Rdson （Vgs=10V） Max 1.3Ω
Qg-typ 32nC
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| HCS10N80 |
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 10 A
VDSS 800 V
Rdson （Vgs=10V） Max 1.0Ω
Qg-typ 71.6nC
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| HCS7N65 |
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 7.0 A
VDSS 650 V
Rdson-max
（Vgs=10V） Typ 1.05 Ω Max 1.35 Ω
Qg-typ 32 nC
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| HCS10N65 |
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 10 A
VDSS 650 V
Rdson （Vgs=10V） Max 1.0Ω
Qg-typ 54nC
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